AgilentLCR電橋4279A 1MHz C-V表
在測量半導體的電容和偏置電壓特性方面，是提高測量質(zhì)量和吞吐量的*佳解決方案。Agilent 4279A在掃描直流偏置電壓的同時，可測量0.00001pF至1280.00pF范圍的電容，基本精度為0.1%，顯示分辨率為6位。因為偏置電壓不確定度很低，所以在+/-38V范圍內(nèi)，電壓精度達0.1%的內(nèi)部可編程直流偏置掃描源可確保非常少的測量錯誤。這使Agilent 4279A成為了**表征和測試變?nèi)荻O管、MOS二極管等的器件理想工具。測量時間具有三種可選模式：10ms、20ms和30ms/meas，以達到*大生產(chǎn)效率。Agilent 4279A的快速量程選擇和高速GP-IB數(shù)據(jù)傳輸能力可以縮短測試時間。自動偏置極性控制特性有助于為被測件快速選擇正確的極性偏置電壓。這種新功能簡化了輸入/輸出檢查中的手動采樣測試，并為自動測試系統(tǒng)提供了簡單的極性控制方法。
主要技術(shù)指標
用于晶片摻雜的C-V測量
變?nèi)荻O管的C-V表征和分類。
射頻混頻器和轉(zhuǎn)換二極管的電容測試。
通過進廠檢驗的應用直流偏置測試電容器。
測量時間：10ms/20ms/30ms
測量精度：0.1%（20ms）
內(nèi)部直流偏置：0至+/-38V，0.1%可編程掃描
測量范圍：0.00001pF至1280pF

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